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不同濃度的表面活性劑PEG6000、SDS脅迫培養(yǎng)對細菌生長的影響【上】

來源:環(huán)境科學導刊 發(fā)布時間:2024-05-30 14:14:47 瀏覽:731 次

表面活性劑是一類加入微少量就能使表面張力減少的有機物,有殺菌、潤滑等功能,被廣泛應用到各個領域,大量使用時,會帶來很多嚴重的環(huán)境問題,給生態(tài)環(huán)境帶來較大影響[1]。表面活性劑對微生物的毒性,一方面是通過與細胞膜中的液態(tài)成分作用使細胞膜溶解,另一方面是通過與細胞中的重要功能蛋白發(fā)生反應[2],表面活性劑的毒性與類型及表面活性劑濃度有關[3,4]。十二烷基硫酸鈉(SDS)為白色或淡黃色粉狀,有去污、乳化和優(yōu)異的發(fā)泡力,是一種陰離子表面活性劑;聚乙二醇6000(PEG6000)為白色蠟狀固體薄片或顆粒狀粉末,屬于非離子型表面活性劑[5]。表面活性劑在工業(yè)行業(yè)中應用較廣泛,有殺菌與消毒作用,其主要原因是可以和細菌生物蛋白質發(fā)生作用,加速蛋白質分子變性[6],所以微生物生長變化可以直接反映出水體受污染程度,將微生物作為表面活性劑毒性監(jiān)測指示者具有一定的實用價值[7]。


本實驗選擇4株細菌作為研究對象。2株革蘭氏陽性菌:枯草芽孢桿菌和簡單芽孢桿菌;2株革蘭氏陰性菌:大腸桿菌和變形桿菌。用不同濃度的表面活性劑PEG6000、SDS脅迫培養(yǎng)后,對4株細菌測定生長曲線,分析不同濃度PEG6000、SDS對細菌生長的影響。結果發(fā)現:4株細菌對兩種表面活性劑表現出不同的敏感性,兩種表面活性劑對細菌的毒性也表現出較大差異,為表面活性劑污染環(huán)境后對細菌的影響提供參考。


1材料與方法


1.1供試菌種


枯草芽孢桿菌(BaciLLussubtiLis),簡單芽孢桿菌(BaciLLussimpLex),革蘭氏陽性菌(G+);


大腸桿菌(EscherichiacoLi),變形桿菌(ProteusvuLgaris),革蘭氏陰性菌(G-)。


1.2培養(yǎng)基


LB培養(yǎng)基:胰蛋白胨10g;酵母膏5g;NaCl 10g;蒸餾水1000mL。


1.3方案設計


1.3.1菌種活化


將4株供試菌種在無菌條件下轉接于LB培養(yǎng)基,連續(xù)轉接2次,于35℃恒溫培養(yǎng)24h后備用。


1.3.2不同濃度表面活性劑培養(yǎng)基配制


250mL錐形瓶盛100mL LB液體培養(yǎng)基,加入PEG6000,濃度分別為:0、0.5、1.0、1.5、2.0g/L,每個濃度3個平行;加入SDS,濃度分別為:0、0.2、0.4、0.6、0.8g/L,每個濃度3個平行;同時設置對照。


1.3.3脅迫培養(yǎng)


將活化后的斜面菌種用3mL無菌水洗脫3次,合并倒入無菌試管中混勻。


用10mL的移液管將脅迫培養(yǎng)基分別加入三角瓶中,每個三角瓶10mL,用牛皮紙包扎好置于高壓蒸汽滅菌鍋中滅菌。滅菌后,分別按照濃度梯度為0、0.5、1.0、1.5、2.0g/L添加PEG6000,0、0.2、0.4、0.6、0.8g/L添加SDS,另以不含表面活性劑的培養(yǎng)基作對照,在無菌條件下將擴大培養(yǎng)的菌液按10%的接種量分別接種于上述培養(yǎng)基中,置于搖床(120r/min)上恒溫(35℃)搖瓶培養(yǎng)。


1.3.4生長曲線測定


培養(yǎng)過程(96h)中每隔8h無菌操作取樣1次,于可見光分光光度計600nm處測其吸光度,每個樣品有3個平行,求其平均值,繪制4種細菌在不同濃度PEG6000、SDS脅迫培養(yǎng)過程中的生長曲線。


2結果與分析


2.1 PEG6000脅迫對4株細菌生長曲線的影響


由圖1~圖3可看出,PEG6000對枯草芽孢桿菌、簡單芽孢桿菌和大腸桿菌的生長有影響,PEG6000濃度為0.5~2.0g/L時,對3株細菌的生長都表現為抑制作用;當PEG6000濃度為2.0g/L時,對大腸桿菌的抑制作用明顯;簡單芽孢桿菌則表現為PEG6000濃度為1.0g/L生長受到明顯抑制。有研究[8]發(fā)現,低濃度表面活性劑(TCJ0.1g/L和KPS 0.2g/L)對細菌的生長表現為促進作用,高濃度(1.5g/L)表面活性劑對細菌表現出抑制作用,本實驗中PEG6000對枯草芽孢桿菌、簡單芽孢桿菌和大腸桿菌的生長都表現為抑制作用。聚乙二醇6000(PEG6000)是廣泛選用的模擬干旱的滲透劑[9],對細胞的生長發(fā)育有較大影響,PEG6000對枯草芽孢桿菌、簡單芽孢桿菌和大腸桿菌的生長抑制作用較TCJ和KPS明顯,本實驗選擇PEG6000濃度較高也會影響3株細菌的生長。

圖1 PEG6000脅迫下枯草芽孢桿菌生長曲線

圖2 PEG6000脅迫下簡單芽孢桿菌生長曲線

圖3 PEG6000脅迫下大腸桿菌生長曲線


由圖4可看出,變形桿菌PEG6000脅迫培養(yǎng)有較強的耐受性和適應性,在96h內變形桿菌的生長表現出上升趨勢,24h內變形桿菌的生長低于對照,說明一段時間內PEG6000對變形桿菌的生長有抑制作用,隨著培養(yǎng)時間的延長,變形桿菌的生長逐漸升高,應該是大腸桿菌對PEG6000脅迫環(huán)境有較強的適應能力,過度地使用表面活性劑也可能使細菌產生耐藥性[10]。


實驗結果表明,在低濃度下,PEG6000對兩種細菌的生長具有一定的刺激作用,在高濃度下,對枯草芽孢桿菌的生長具有抑制作用,但是抑制效果不太明顯,對假單胞菌的生長還是表現為促進作用。說明PEG6000的毒性不是太強,對細菌生長的脅迫作用不太顯著。且兩種細菌對PEG6000的敏感程度不同,枯草芽孢桿菌(G+)比假單胞菌(G-)更敏感,可能原因是兩種細菌的結構差異和對不良環(huán)境的適應能力不同[5]。


不同濃度的表面活性劑PEG6000、SDS脅迫培養(yǎng)對細菌生長的影響【上】

不同濃度的表面活性劑PEG6000、SDS脅迫培養(yǎng)對細菌生長的影響【下】

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